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SUM110P04-04L
www.vishay.com
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
Vishay Siliconix
2.0
1.7
V GS = 10 V
I D = 30 A
100
1.4
1.1
0.8
0.5
10
1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1000
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
48
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 250 μA
46
100
44
10
I AV (A) at T A = 25 °C
42
1
0.1
I AV (A) at T A = 150 °C
40
38
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
t in (s)
Avalanche Current vs. Time
T J - Junction Temperature (°C)
Drain Source Breakdown vs. Junction Temperature
S13-2478-Rev. D, 09-Dec-13
4
Document Number: 72437
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com
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